美國BIOFORCE紫外臭氧清洗機(jī)（UVO）入駐山東大學(xué)

  美國Biofore公司的ProCleaner ™的產(chǎn)品線提供非常有競爭力的價(jià)位，并給研究者提供更多的選擇機(jī)會(huì)。該P(yáng)roCleaner ™裝置的用途是消除分子程度的污染，使探針和表面盡可能清潔。

應(yīng)用領(lǐng)域：
?預(yù)處理表面圖案化工具
?清潔硅和氮化硅探針
?晶圓清洗
?表面氧化及制備
?提高表面親水性
?表面清洗
?制備薄膜沉積
?紫外光固化
?表面圖案化
?清洗光學(xué)鏡頭
?粘接硅橡膠
?表面消毒
?清潔MEMS器件
可處理材料表面：
?氮化硅
? 金屬
?玻璃
?云母
?石英
?陶瓷
?聚合物 

產(chǎn)品特點(diǎn)：
?高強(qiáng)度UV燈源，持續(xù)的清除樣品表面有機(jī)污染物；
?成本低、簡單、經(jīng)濟(jì)、快速；
?結(jié)構(gòu)緊湊（體積?。?br />?抽屜式樣品臺(tái)；
?多功能樣品定位支架
?安全聯(lián)鎖和指示燈
?樣品清洗無需溶劑；
?超潔凈表面；
?室溫操作。
技術(shù)參數(shù)：
型號(hào)：UV Ozone Cleaner–ProCleaner™ Plus、UV Ozone Cleaner–ProCleaner™
樣品臺(tái)尺寸：100mmx125mm；
zui大處理樣品高25mm；
適用電壓：230V,0.6A,50Hz(110V,1.2A,60Hz)；
重量15 lbs。

英國Ossila紫外臭氧清洗機(jī)入駐中科院金屬研究所

英國Ossila公司提供的紫外臭氧清洗機(jī)（UVO），是一種簡單，經(jīng)濟(jì)，快速的材料表面清洗設(shè)備，只需把樣品放置到樣品盤上，關(guān)上艙門，設(shè)置時(shí)間，并按運(yùn)行，就可以了，能快速去除大多數(shù)無機(jī)基材（比如石英，硅片，金，鎳，鋁，砷化鎵，氧化鋁等）上的有機(jī)污染物。特別是當(dāng)基材和薄膜蒸鍍需要很好的粘接時(shí)，紫外清洗非常理想。要獲得超潔凈的表面，只需要在傳統(tǒng)清洗后，再用紫外臭氧清洗幾分鐘就可獲得！
目前紫外臭氧清洗機(jī)的主要應(yīng)用表面UV光清洗和表面UV光改質(zhì)。
表面UV光清洗：利用紫外光以及由其產(chǎn)生的臭氧OZONE，對(duì)有機(jī)物質(zhì)所起的光敏氧化分解作用，以達(dá)到去除粘附在物體表面上的有機(jī)化合物（碳?xì)浠衔铮?，獲得超潔凈的表面。
表面UV光改質(zhì)：利用紫外光照射有機(jī)表面，在將有機(jī)物分解的同時(shí)，254nm波長的紫外光被物體表面吸收后，將表層的化學(xué)結(jié)構(gòu)切斷，光子作用產(chǎn)生原子氧會(huì)與被切斷的表層分子結(jié)合，并將之變換成具有高度親水性的官能基（如-OH，-CHO，-COOH），從而提高表面的浸潤性。
主要應(yīng)用：
石英/玻璃制品的表面清洗：液晶面板,等離子電視屏幕,彩色過濾片,光罩,棱鏡,透鏡,反射鏡,平板電視等。
微電子產(chǎn)品的表面清洗：微型馬達(dá)軸,磁頭驅(qū)動(dòng)架,光盤,光電器件,手機(jī)攝像頭,微型喇叭/受話器震膜,半導(dǎo)體硅片,掩膜版。
精密集成電路的表面清洗：液晶顯示器ITO,精密電路板,軟性電路板接頭,BGA基板的清洗,COG的清洗,COF(ILB)接合面的清洗,薄膜基板的清洗,金屬基板的清洗,BGA基板與粘結(jié)墊的清洗。
在膠粘接或是印刷之前，對(duì)高分子聚合制品的表面改性：橡膠粘接，塑料汽車部件，透鏡保護(hù)膜,塑料薄膜,樹脂成型空氣袋,IC包裝,注射針接合部份的表面性,介入導(dǎo)管的表面改型等。
科研過程的表面清洗及處理：半導(dǎo)體，生物芯片，納米材料，聚合物，光化學(xué)等。
產(chǎn)品特點(diǎn)
成本低；
?120x120mm樣品臺(tái)；
?zui大處理樣品高14mm；
?抽屜式樣品臺(tái)，簡單方便；                                  
?樣品臺(tái)自動(dòng)安全開關(guān),打開UV自動(dòng)關(guān)閉，防止對(duì)人身傷害；     UVO顯示器
?LCD屏顯示“已用時(shí)間”和“剩余時(shí)間”；
?60分鐘定時(shí)器；
?高強(qiáng)度UV燈源；
?可控溫的樣品臺(tái)；

?樣品清洗無需溶劑；
?超凈表面。

       
技術(shù)參數(shù)

在紫外線臭氧清洗前水滴在OTS-treated硅基質(zhì)上(300納米二氧化硅表面)(左)紫外臭氧清洗10分鐘后(右)。